文献

J-GLOBAL ID：201202210505966050   整理番号：12A0146728

Si(111)上にPAMBE成長したInN層の微細構造

Microstructure of PAMBE-grown InN layers on Si(111)

著者 (13件)： WALTHER R. (Lab. fuer Elektronenmikroskopie, Karlsruher Inst. fuer Technol. (KIT), D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  LITVINOV D. (Lab. fuer Elektronenmikroskopie, Karlsruher Inst. fuer Technol. (KIT), D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  LITVINOV D. (Center for Functional Nanostructures, KIT, D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  FOTOUHI M. (Lab. fuer Elektronenmikroskopie, Karlsruher Inst. fuer Technol. (KIT), D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  SCHNEIDER R. (Lab. fuer Elektronenmikroskopie, Karlsruher Inst. fuer Technol. (KIT), D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  GERTHSEN D. (Lab. fuer Elektronenmikroskopie, Karlsruher Inst. fuer Technol. (KIT), D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  GERTHSEN D. (Center for Functional Nanostructures, KIT, D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  VOEHRINGER R. (Center for Functional Nanostructures, KIT, D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  VOEHRINGER R. (Inst. fuer Angewandte Physik, KIT, D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  HU D.z. (Center for Functional Nanostructures, KIT, D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  HU D.z. (Inst. fuer Angewandte Physik, KIT, D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  SCHAADT D.m. (Center for Functional Nanostructures, KIT, D-76128 Karlsruhe, DEU) ,  SCHAADT D.m. (Inst. fuer Angewandte Physik, KIT, D-76128 Karlsruhe, DEU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 340  号： 1  ページ： 34-40  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)基板とAlN緩衝層に,プラズマ支援分子線エピタキシーによって成長したInN層の微細構造を調査した。325°Cと375°Cの間の基板温度で,他は同一条件で,厚さ約500nmのInN層を堆積した。走査型電子顕微鏡法,並びに,選択領域電子線回折,電子エネルギー損失分光法およびエネルギー分散型X線分光法を備えたさまざまな透過型顕微鏡法によって,構造の特性化を行った。InN層の微細構造は,成長温度の比較的狭い区間であっても大幅に変化した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  化合物半導体 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *バッファ層 ,  窒化アルミニウム ,  *プラズマCVD ,  *微細構造 ,  基板温度 ,  走査電子顕微鏡 ,  制限視野回折 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 走査型電子顕微鏡

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  InN ,  微細構造