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J-GLOBAL ID：201202210554875299   整理番号：12A1147166

InPヘテロ接合バイポーラトランジスタの65GHz小信号帯域スイッチドエミッターフォロワー

65GHz small-signal-bandwidth switched emitter follower in InP heterojunction bipolar transistors

著者 (7件)： DEZA J. (III-V Lab (joint res. lab Alcatel-Lucent Bell Labs, Thales and CEA-LETI), Marcoussis, FRA) ,  DEZA J. (ECS-Lab, Cergy, FRA) ,  OUSLIMANI A. (ECS-Lab, Cergy, FRA) ,  KONCZYKOWSKA A. (III-V Lab (joint res. lab Alcatel-Lucent Bell Labs, Thales and CEA-LETI), Marcoussis, FRA) ,  KASBARI A. (ECS-Lab, Cergy, FRA) ,  GODIN J. (III-V Lab (joint res. lab Alcatel-Lucent Bell Labs, Thales and CEA-LETI), Marcoussis, FRA) ,  PAILLER G. (Thales Systemes Aeroportes, Brest, FRA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 15  ページ： 908-910  発行年： 2012年07月19日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サンプリング周波数と線形性の高いADCはトラックアンドホールド増幅器(THA)入力インタフェイスを使っている。THAにはホールドモードのとき大きな帯域,線形性,高いサンプリングレートが必要である。スイッチドエミッターフォロワー(SEF)がこれ等の要件を満たす。二つのSEF構造を大帯域の為に最適化し,測定比較した。回路は320GHz F_T InPダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタで製作している。ホールドモードの分離は二番目の構造で大きく改善されている。小信号帯域は65GHzであり,シングルステージSEFでは17GHzまでSFDRは45dBc以上である。ダブルステージSEFは52GHzの小信号帯域であり,15GHzまでSFDRは45dBcよりも大きい。20~25GHzでダブルステージSEFの調和H₂阻止は10dB悪いが,全周波数範囲でホールドモード分離ははるかに良好である。

シソーラス用語： *AD変換器 ,  *HBT【トランジスタ】 ,  リン化インジウム ,  ダイナミックレンジ ,  等価回路 ,  *エミッタフォロワ回路 ,  線形性 ,  周波数
準シソーラス用語： ADC【変換器】 ,  InP ,  SFDR ,  サンプリング周波数 ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

分類 (1件)： AD・DA変換回路  (NC05080M)

タイトルに関連する用語 (3件)： InP ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  信号帯域