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J-GLOBAL ID：201202210649968316   整理番号：12A0739008

有機金属化学蒸着によるCu(110)面上へのGaNのエピタクシー

GaN epitaxy on Cu(110) by metal organic chemical vapor deposition

著者 (5件)： LI Qiming (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  FIGIEL Jeffery (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  WANG George (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  XU Huiwen (Center for High Technol. Materials, Univ. of New Mexico, Albuquerque, New Mexico 87131, USA) ,  BALAKRISHNAN Ganesh (Center for High Technol. Materials, Univ. of New Mexico, Albuquerque, New Mexico 87131, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 19  ページ： 192110-192110-3  発行年： 2012年05月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着によってc面のGaNエピタキシャル成長の際に,Cuが適した基板材料となることを示す。低温で堆積したAlNのバッファー層を用いると,GaとCuの合金化が阻止され,GaN層を1000°CでCu基板上に成長させ得ることが分かった。断面透過型電子顕微鏡による観察と後方散乱回折法によって,GaN(0001)//Cu(110)というエピタキシャル関係を確認した。エピタキシャル成長させたGaN単結晶には,密度が3×10⁹cm^-2程度の貫通転位が存在し,室温において強いバンド端発光が観測されることが分かった。GaN(0001)とCu(110)の間のサイト配列に関して,GaN[10-10]およびGaN[-1100]方向におけるメッシュ比は4/3および5/3で,これは観測されるエピタキシャル関係に起因することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  基板 ,  銅 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  エピタクシー ,  *半導体薄膜 ,  バッファ層 ,  窒化アルミニウム ,  ポテンシャル障壁 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  貫通転位 ,  陰極線ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  走査電子顕微鏡 ,  結晶方位
準シソーラス用語： 断面透過型電子顕微鏡 ,  反応障壁

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機金属化学蒸着 ,  Cu ,  GaN ,  エピタクシー