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J-GLOBAL ID：201202210721247599   整理番号：12A1720269

有機金属化学的気相成長によるCuInSe₂太陽電池の調製

The preparation of a CuInSe₂ solar cell by metal organic chemical vapor deposition

著者 (1件)： CHOI In-hwan
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 525  ページ： 137-140  発行年： 2012年12月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これは,完全な有機金属気相成長(MOCVD)技法により調製したCuInSe₂(CIS)太陽電池の報告である。MOCVD技法によりCIS/Zn(S,O)/ZnO:B太陽電池を調製した。ソーダ石灰ガラス上に被覆したMo背面電極上に3段階MOCVD技法によりCIS吸収体ガラスを成長させた。MOCVD技法によりCIS吸収体層上にZn(S,O)緩衝材およびZnO:B窓層を連続的に作製した。本研究で調製したCuInSe₂/Zn(S,O)/ZnO:B太陽電池は,10.45%のエネルギー変換効率,60.3%の曲線因子,487mVの開回路電圧,そして35.7mA/cm²の短絡回路電流密度を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  酸化亜鉛 ,  亜鉛化合物 ,  硫化物 ,  酸化物 ,  *バッファ層 ,  *ドーピング ,  ホウ素 ,  基板 ,  ソーダ石灰ガラス ,  *モリブデン ,  電極材料 ,  *膜電極 ,  エネルギー変換効率 ,  電圧 ,  電流密度 ,  パラメータ
準シソーラス用語： *CIS薄膜太陽電池 ,  開回路電圧 ,  短絡回路電流密度 ,  曲線因子

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機金属 ,  化学的気相成長 ,  太陽電池 ,  調製