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J-GLOBAL ID：201202210808635277   整理番号：12A0625220

回転ディスク電極ボルタンメトリーを用いたグラフェン修飾電極の性能評価の単純化

Simplifying the Evaluation of Graphene Modified Electrode Performance Using Rotating Disk Electrode Voltammetry

著者 (5件)： GUO Si-Xuan (Monash Univ., Vic, AUS) ,  ZHAO Shu-Feng (Monash Univ., Vic, AUS) ,  ZHAO Shu-Feng (East China Normal Univ., Shanghai, CHN) ,  BOND Alan M. (Monash Univ., Vic, AUS) ,  ZHANG Jie (Monash Univ., Vic, AUS)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 28  号： 11  ページ： 5275-5285  発行年： 2012年03月20日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 伝導性のAu,Pt,ガラス状炭素および酸化インジウムスズ基板上に酸化グラフェン水溶液からの電着によりグラフェン修飾電極を作製した。ガラス状炭素およびグラフェン修飾ガラス状炭素電極における[Ru(NH₃)₆]³⁺/²⁺,[Fe(CN)₆]^3-/^4-,ヒドロキノンおよび尿酸の酸化過程を,定常電極における過渡サイクリックボルタンメトリーおよび回転ディスク電極における近似的定常状態ボルタンメトリーを用いて調べた。シミュレーションと比較した結果,グラフェン修飾電極の過渡ボルタンメトリー特性は薄膜および表面拘束過程からの重要な寄与を含むことが示唆された。その結果,グラフェン修飾電極の活性に対する半無限線形拡散による質量輸送のみに基づく解釈は間違った結論をもたらす可能性がある。対照的に,回転ディスク電極における定常状態ボルタンメトリーは,薄膜および表面拘束過程の相対的重要性が低減され質量輸送が対流によって支配されるため,グラフェン修飾電極の性能を評価するための簡単な方法を与える。

シソーラス用語： *円盤電極 ,  *ボルタンメトリー ,  *炭素材 ,  ガラス状炭素 ,  酸化 ,  薄膜 ,  拘束 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *回転ディスク電極 ,  *修飾電極

分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 回転ディスク電極 ,  ボルタンメトリー ,  グラフェン ,  修飾電極 ,  性能評価 ,  単純化