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J-GLOBAL ID：201202210850639177   整理番号：12A0739007

表面の粗さの小さい(100)ダイヤモンドエピ層における高濃度の置換型燐

High fraction of substitutional phosphorus in a (100) diamond epilayer with low surface roughness

著者 (8件)： PINAULT-THAURY M.-a. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (CNRS and Univ. of Versailles St Quentin), 45 avenue des Etats-Unis, 78035 ...) ,  BERINI B. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (CNRS and Univ. of Versailles St Quentin), 45 avenue des Etats-Unis, 78035 ...) ,  STENGER I. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (CNRS and Univ. of Versailles St Quentin), 45 avenue des Etats-Unis, 78035 ...) ,  CHIKOIDZE E. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (CNRS and Univ. of Versailles St Quentin), 45 avenue des Etats-Unis, 78035 ...) ,  LUSSON A. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (CNRS and Univ. of Versailles St Quentin), 45 avenue des Etats-Unis, 78035 ...) ,  JOMARD F. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (CNRS and Univ. of Versailles St Quentin), 45 avenue des Etats-Unis, 78035 ...) ,  CHEVALLIER J. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (CNRS and Univ. of Versailles St Quentin), 45 avenue des Etats-Unis, 78035 ...) ,  BARJON J. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (CNRS and Univ. of Versailles St Quentin), 45 avenue des Etats-Unis, 78035 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 19  ページ： 192109-192109-4  発行年： 2012年05月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高出力のエレクトロニクスへの応用という観点から,置換型ドナーとして燐を含むダイヤモンドは有望な半導体材料である。しかし,現在まで,(100)配向したダイヤモンドの置換型格子点には,少しの量(<30%)の燐原子しか混入せず,エピタキシャル面には多くのマクロステップが観測される。置換型格子点に100%の燐が混入した燐ドープの(100)ダイヤモンドのエピタキシャル層を示す。薄膜の表面の粗さは,非常に小さい(RMS=0.5nm)ことが分かった。作製したエピタキシャル層は導電性(300Kにおいて,ρ=5.0×10⁶Ω・cmである)を示し,赤外吸収によって中性の燐が検出された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 表面粗さ ,  *ダイヤモンド ,  半導体 ,  エピタクシー ,  *半導体薄膜 ,  置換型原子 ,  *ドナー ,  リン ,  表面ステップ ,  光学顕微鏡法 ,  干渉顕微鏡 ,  電気伝導率 ,  陰極線ルミネセンス ,  紫外発光スペクトル ,  赤外吸収スペクトル

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 粗さ ,  ダイヤモンド ,  エピ層 ,  高濃度 ,  置換 ,  燐