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J-GLOBAL ID:201202210876747369   整理番号:12A0646396

MgドープZnTiO3セラミックスの構造とPTCR効果

The structure and PTCR effects of Mg-doped ZnTiO3 ceramics
著者 (4件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 3613-3618  発行年: 2012年07月 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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マグネシウムをドープしたチタン酸亜鉛を金属酸化物を用いた通常の固相反応技術で製造した。粉末X線回折パターンがZnTiO3単相であることを示した。マグネシウムは亜鉛イオンと置き換わることができ,ZnTiO3相中に固溶体を形成し,ZnTiO3のピークの強度はMg添加量の増加とともに減少する。このようにして作製した材料は半導体で,抵抗率の正の温度係数を有する。マグネシウムの増加した添加が電気抵抗率を低下させる。その上,焼結密度とc/a比もMgの添加量の増加とともに上昇し,一方,開口細孔は減少する。さらに,(Zn1-xMgx)TiO3材料のCurie温度(Tc)はMg2+濃度の増加によって高温側へシフトできる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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セラミック・磁器の性質 
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