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J-GLOBAL ID：201202211021069629   整理番号：12A0256940

LiのドープされたZnOにおけるLiの配置の熱プロセス依存性と電気的特性

Thermal process dependence of Li configuration and electrical properties of Li-doped ZnO

著者 (6件)： ZHANG Z. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  KNUTSEN K. E. (Dep. of Physics, Univ. of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, NOR) ,  MERZ T. (Dep. of Physics, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  KUZNETSOV A. Yu. (Dep. of Physics, Univ. of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, NOR) ,  SVENSSON B. G. (Dep. of Physics, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  BRILLSON L. J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 4  ページ： 042107  発行年： 2012年01月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LiのドープされたZnOにおけるLiアクセプタ形成の熱処理に対する強い依存性を明確にるために,深さ分解陰極線ルミネセンス分光法(DRCLS)を採用した。500~600°Cの熱処理温度域で熱処理をしたZnOを急冷すると,格子間Liを基本とするドナーが形成され,室温における抵抗率が低下することが分かった。一方,空気中において徐冷すると,これらの格子間ドナーはZnの空格子を充填し,伝導帯の下3.0eVに位置するLiのアクセプタが形成されることが分かった。DRCLSに基づいて,亜鉛サイトのリチウムからの発光密度と亜鉛空格子点サイトのリチウムからの発光密度との間の逆相関を明らかにすることができた。この結果から,置換型Liアクセプターを形成するために,格子間Liが亜鉛空格子と結合する時間依存性を明らかにすることができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ドーピング ,  *リチウム ,  アクセプタ ,  熱処理 ,  *陰極線ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  温度 ,  格子間原子 ,  ドナー ,  空格子点 ,  置換型原子 ,  深さプロフィル
準シソーラス用語： 熱処理温度

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： Li ,  ドープ ,  ZnO ,  プロセス ,  依存性 ,  電気的特性