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J-GLOBAL ID：201202211153617129   整理番号：12A1584315

Cu(In_1-x,Ga_x)Se₂薄膜太陽電池に与えるBi取り込みの影響

Effects of Bi Incorporation on Cu(In_1-x,Ga_x)Se₂ Thin Films and Solar Cells

著者 (5件)： NAKAKOBA Hiroya (Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara, JPN) ,  YATSUSHIRO Yuta (Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara, JPN) ,  MISE Takahiro (Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara, JPN) ,  KOBAYASHI Taizo (Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara, JPN) ,  NAKADA Tokio (Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 10,Issue 2  ページ： 10NC24.1-10NC24.3  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In_1-x,Ga_x)Se₂(CIGS)薄膜太陽電池内へのビスマス(Bi)取り込みの影響を調べた。Mo被覆ソーダ石灰ガラス(SLG)およびSiO_x被覆SLG基板上に,真空蒸着により10~50nm厚のBi薄膜を析出させた。ついで,450~550°Cの基板温度で3段階プロセスによりCIGS薄膜を析出させた。CIGS薄膜の結晶粒成長が増強され,SLG基板を用いた場合,Bi取り込みにより開放端電圧と変換効率が改善された。しかしながら,SLG基板上にアルカリ障壁SiO_x層を析出させた場合は,ほとんど影響が見られなかった。結果として,CIGS層内にナトリウムが同時に存在する場合に,Bi取り込みは太陽電池の性能改善に有益であることがわかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *ビスマス ,  *添加物効果 ,  ソーダ石灰ガラス ,  真空蒸着 ,  効率 ,  電圧
準シソーラス用語： *CIGS太陽電池 ,  開放端電圧 ,  薄膜太陽電池 ,  変換効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (21件)：

• 1) J. Hedstrom, H. Ohlsen, M. Bodegard, A. Kylner, L. Stolt, D. Haviskos, M. Ruckh, and H.-W. Schock: Proc. 23rd IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1993,p.364.
• 2) M. Bodegard, L. Stolt, and J. Hedstrom: Proc. 12th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 1994,p.1743.
• 3) M. Bodegard, J. Hedstrom, K. Granath, A. Rockett, and L. Stolt: Proc. 13th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 1995,p.2080.
• 4) V. Probst, J. Rimmasch, W. Stetter, H. Harms, W. Riedl, J. Holz, and F. Karg: Proceedings of the 13th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 1995,p.2123.
• 5) J. Holz, F. Karg, and H. Philipsborn: Proc. 12th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 1994,p.1592.

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu ,  薄膜太陽電池 ,  Bi ,  取り込み