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J-GLOBAL ID：201202211286008214   整理番号：12A1659863

プレセラミックポリマー修正Ag/ポリ(ヒドリドカルビン)p-Siショットキーバリヤダイオードの電気的特性化

Electrical characterization of a pre-ceramic polymer modified Ag/poly(hydridocarbyne)/p-Si Schottky barrier diode

著者 (5件)： BASMAN Necati (Gaziosmanpasa Univ., Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Tokat, TUR) ,  UZUN Orhan (Gaziosmanpasa Univ., Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Tokat, TUR) ,  FIAT Songuel (Gaziosmanpasa Univ., Dep. of Physics, Fac. of Arts and Sciences, Tokat, TUR) ,  ALKAN Cemil (Gaziosmanpasa Univ., Dep. of Chemistry, Fac. of Arts and Sciences, Tokat, TUR) ,  CANKAYA Gueven (Yildirim Beyazit Univ., Dep. of Materials Engineering, Fac. of Engineering and Natural Sciences, Ankara, TUR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 23  号： 12  ページ： 2282-2288  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ポリ(ヒドリドカルビン)(PHC),加熱によりセラミックに変換できるプレセラミックポリマー,を用いてAg/PHC/p-Si金属-中間層-半導体(MIS)ダイオードを作製した。容易な処理ステップにより得られたダイオードは,良好な整流挙動と十分な逆バイアス飽和を示した。順方向バイアスI-V特性を用いることにより,Ag/PHC/p-Si MIS構造の理想係数(n)および障壁高(Φ_b)が,それぞれ,1.93および0.94eVであることが分かった。1より大きい理想係数の値による非理想I-V挙動は直列抵抗によるものであった。Ag/PHC/p-Si MISダイオードに対して得られた0.94eVのΦ_bの値は,通常のAg/p-Siショットキーダイオードの0.84の値よりも大きかった。これは,PHC中間層がSiの空間電荷領域に影響することによるものであった。MISダイオードの界面状態密度を測定し,Ag/p-Si接合の界面状態密度は,金属と半導体中に挿入されるPHC有機層により著しく変化することが分かった。さらに,チャンとノルデの関数を用いて,障壁高と直列抵抗値を抽出し,得られた結果を比較した。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *セラミック ,  前駆体 ,  *プレポリマ ,  *MIS構造 ,  整流 ,  *電流電圧特性 ,  *電気抵抗 ,  空間電荷 ,  *状態密度 ,  半導体金属接合 ,  有機半導体 ,  高分子薄膜 ,  FTIR分光法 ,  スペクトル ,  ケイ素 ,  銀 ,  カルビン ,  重合体
準シソーラス用語： NMRスペクトル ,  プレセラミック高分子 ,  界面状態密度 ,  直列抵抗 ,  ポリヒドリドカルビン

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： プレセラミックポリマー ,  Ag ,  ショットキーバリヤダイオード ,  電気的特性