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J-GLOBAL ID：201202211416524554   整理番号：12A1159797

パラジウムドープポリフッ化ビニリデン薄膜中でのパラジウムナノ粒子の簡単な合成 β-相形成および鎖長と双極子配向制御

Simple Synthesis of Palladium Nanoparticles, β-Phase Formation, and the Control of Chain and Dipole Orientations in Palladium-Doped Poly(vinylidene fluoride) Thin Films

著者 (3件)： MANDAL Dipankar (Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Kap Jin (Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE Jong Soon (Hyosung Corp., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 28  号： 28  ページ： 10310-10317  発行年： 2012年07月17日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2wt%ポリフッ化ビニリデン(PVDF)のDMF溶液中に0.1もしくは0.2wt%のPdCl₂を加え,室温で7日間撹拌し,Pdナノ粒子(Pd-NP)の形成をTEMにより確認した。次いで,その分散液をITOコートガラス基板上に80°Cでスピンコートして,最終的に130°Cで4日間焼なまし,厚さ80nmのPd-NPドープPVDF薄膜を作成した。TEM観察およびXPS解析から薄膜中の粒子サイズは約3.0nmで,金属Pdが面間隔0.27nmの面心立方格子結晶を形成していることを明らかにした。さらに,FTIR斜入射反射吸収スペクトル(FTIR-GIRAS)測定から,Pd-NPドープPVDF薄膜中ではPVDFはβ相として存在し,エッジオン結晶性ラメラを形成していること,また,動的接触静電力顕微鏡(DC-EMF)測定から強誘電体双極子スイッチング像を形成できることを明らかにし,これが強誘電体メモリデバイスもしくは強誘電体ゲイト電界効果メモリデバイスとして利用できる可能性を示した。

シソーラス用語： *パラジウム ,  *ドーピング ,  *ポリフッ化ビニリデン ,  *薄膜 ,  *ナノ粒子 ,  合成 ,  塩化パラジウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  酸化インジウムスズ ,  焼なまし ,  X線光電子分光法 ,  結晶格子 ,  FTIR分光法 ,  *β相 ,  ラメラ ,  力顕微鏡 ,  FET【トランジスタ】 ,  記憶装置 ,  FeRAM ,  *化学合成 ,  *双極子 ,  配向 ,  制御
準シソーラス用語： *パラジウムドープポリフッ化ビニリデン ,  メモリデバイス ,  強誘電体ゲートFET ,  強誘電体メモリ ,  静電力顕微鏡 ,  *双極子配向制御 ,  面心立方格子

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  応用物理化学的操作・装置  (XE03000E)

タイトルに関連する用語 (9件)： パラジウム ,  ドープ ,  ポリフッ化ビニリデン ,  薄膜 ,  パラジウムナノ粒子 ,  相形成 ,  鎖長 ,  双極子 ,  配向制御