文献

J-GLOBAL ID：201202211430532012   整理番号：12A1000331

電子ビーム照射を用いた反応性マグネトロンスパッタリングによるSi(100)基板上でのCeO₂(100)および(110)領域の空間的に変化する配向選択エピタキシャル成長

Spatially varied orientation selective epitaxial growth of CeO₂(100) and (110) regions on Si(100) substrates by reactive magnetron sputtering utilizing electron beam irradiation

著者 (2件)： INOUE Tomoyasu ,  SHIDA Shigenari
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 19  ページ： 6179-6182  発行年： 2012年07月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)基板上でのCeO₂(100)およびCeO₂(110)領域の空間的に変化するエピタキシャル成長を,反応性マグネトロンスパッタリングによる電子ビーム誘起の配向選択エピタキシャル(OSE)成長を用いて達成した。空間的に制御したOSE成長試料を,異なる電気抵抗率値を有するSi(100)基板上で調製した。著者らは,X線回折測定によって,エピタキシャル層表面内での横方向配向マッピングを得て,上記2配向領域の間における転移領域の存在を明らかにした。この転移領域の幅が,下地Si基板の電気抵抗率の対数に比例して減少することを明らかにした。表面ポテンシャル分布モデルを提示して,上記結果を説明した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化セリウム ,  *マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  ケイ素 ,  結晶方位 ,  *エピタクシー ,  スパッタ蒸着 ,  電子照射 ,  X線回折 ,  RHEED ,  優先配向 ,  電気抵抗率 ,  分布 ,  表面電位
準シソーラス用語： ポテンシャル分布 ,  *反応性マグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子ビーム照射 ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  Si ,  配向 ,  エピタキシャル成長