文献

J-GLOBAL ID：201202211458858703   整理番号：12A1174836

In(Ga)Asナノ構造における励起子エネルギーバンドギャップの温度依存性

Temperature Dependence of the Excitonic Energy Band Gap in In(Ga)As Nanostructures

著者 (7件)： KOPYLOV Oleksii (National Technical Univ. Ukraine, Kyiv, UKR) ,  KOPYLOV Oleksii (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  LEE Jungil (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  HAN Ilki (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  CHOI Won Jun (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  SONG Jin Dong (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  YEO Ina (Univ. Joseph Fourier, Grenoble, FRA)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 60  号： 10  ページ： 1828-1832  発行年： 2012年05月31日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  ナノ構造 ,  *励起子 ,  *バンドギャップ ,  温度依存性 ,  *光ルミネセンス ,  *ヒ化ガリウム ,  ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  MBE成長 ,  電子-フォノン相互作用
準シソーラス用語： マイグレーション増強MBE成長

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ga ,  ナノ構造 ,  励起子 ,  エネルギーバンドギャップ ,  温度依存性