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J-GLOBAL ID：201202211530606358   整理番号：12A0509179

中赤外の広い範囲のレーザガスセンシング用に設計したGaSb基板上のタイプII量子井戸

Type II quantum wells on GaSb substrate designed for laser-based gas sensing applications in a broad range of mid infrared

著者 (8件)： MOTYKA M. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  RYCZKO K. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  SEK G. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  JANIAK F. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  MISIEWICZ J. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  BAUER A. (Univ. of Wuerzburg, Technische Physik and Wilhelm-Conrad-Roentgen-Research Center for Complex Material Systems, Am ...) ,  HOEFLING S. (Univ. of Wuerzburg, Technische Physik and Wilhelm-Conrad-Roentgen-Research Center for Complex Material Systems, Am ...) ,  FORCHEL A. (Univ. of Wuerzburg, Technische Physik and Wilhelm-Conrad-Roentgen-Research Center for Complex Material Systems, Am ...)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 34  号： 7  ページ： 1107-1111  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaSb基板上に成長したInAs/GaInSb/InAsタイプII量子井戸の光学特性を電子構造計算で裏付けられたFourier変換光反射率と光ルミネセンスで調べた。このような破壊ギャップ材料はバンド間カスケードレーザの活性領域として利用でき,さらに室温で動作するレーザガスセンサに利用できる。約2μmから5μmより上までの範囲で測定した吸収型および放射型スペクトルに基づいて,約3.5μm以上の,つまりすでに利用されている炭化水素の特性範囲を超える長い波長の吸収線をもつHClやCO₂,N₂OおよびNH₃などの環境関連ガスをこのようなタイプII型構造で検出する可能性を示した。二種類の量子井戸構造についてタイプIIの遷移の振動子強度対InAs井戸幅および温度の問題を調べた。W様の井戸の設計と温度の上昇により,関与する材料のいろいろな熱エネルギーギャップ係数や電子閉じ込めの弱まりの結果として,タイプIIの遷移強度の大幅な向上が予測できる。二重量子井戸構造の非対称性の意図的に導入することによる,遷移確率に影響する実際に動作するデバイスの電場効果を補償するという概念がいろいろな放射波長で機能することを示した。妥当な値の遷移振動子強度を約5μmでも実証した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アンチモン化ガリウム ,  基板 ,  *ヒ化インジウム ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *量子井戸 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  FTIR分光法 ,  *量子井戸レーザ ,  *カスケード過程 ,  赤外線 ,  *バンド構造 ,  レーザ発振 ,  ガスセンサ
準シソーラス用語： 中赤外線

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 設計 ,  GaSb ,  タイプ ,  量子井戸