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J-GLOBAL ID:201202211611142941   整理番号:12A0782960

λ-BETS2FexGa1-xCl4系の常磁性金属-反強磁性絶縁体転移

Paramagnetic Metal-Antiferromagnetic Insulator Transition of λ-BETS2FexGa1-xCl4 System
著者 (10件):
資料名:
巻: 81  号:ページ: 053601.1-053601.3  発行年: 2012年05月15日 
JST資料番号: G0509A  ISSN: 0031-9015  CODEN: JUPSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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準二次元有機伝導体λ-BETS2FexGa1-xCl4[BETS=ビス(エチレンジチオ)テトラセレナフルバレン]は零磁場下,8.3Kの転移温度TMIで常磁性金属(PM)から反強磁性絶縁体(AFI)へ変態する。このPM-AFI相転移の機構を調べるために,0.2Kの低温で混晶λ-BETS2FexGa1-xCl4の比熱を測定することにより,AFI基底状態のFe3dスピン含有量依存性を調べた。Fe3dスピン密度の増加はπスピン反強磁性(AF)秩序により生じた内部磁場を増強した。Fe3dスピンはこの謎のPM-AFI相転移に対する好ましい条件を提供することを確認した。この相転移はπ-d相互作用により導入された磁気異方性に起因し,πスピン系の低次元揺らぎを抑制すると提唱した。(翻訳著者抄録)
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