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J-GLOBAL ID：201202211661803760   整理番号：12A0955337

Nb₅Ge₃化合物における15.3Kでの格子間ドーピング誘起超伝導

Interstitial doping induced superconductivity at 15.3 K in Nb₅Ge₃ compound

著者 (8件)： BORTOLOZO A. D. (Escola de Engenharia de Lorena-Universidade de Sao Paulo, P. O. Box 116, Lorena-SP 12600-970, BRA) ,  DOS SANTOS C. A. M. (Escola de Engenharia de Lorena-Universidade de Sao Paulo, P. O. Box 116, Lorena-SP 12600-970, BRA) ,  JARDIM R. F. (Universidade de Sao Paulo, Inst. Fisica, Sao Paulo-SP 05315-970, BRA) ,  RITTER C. (Inst. Laue Langevin, Boite Postale 156, F-38042 Grenoble, FRA) ,  DEVISHVILI A. (Inst. Laue Langevin, Boite Postale 156, F-38042 Grenoble, FRA) ,  ROTTER M. (Clarendon Lab., Univ. of Oxford, Parks Road, OX1 3PU, GBR) ,  GANDRA F. G. (Instituto de Fisica, Universidade Estadual de Campinas, Campinas-SP 13083-970, BRA) ,  MACHADO A. J. S. (Escola de Engenharia de Lorena-Universidade de Sao Paulo, P. O. Box 116, Lorena-SP 12600-970, BRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 12  ページ： 123912-123912-6  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それは格子間炭化物であるNb₅Ge₃C_0.3の超伝導について報告する。電気抵抗率,交流磁化率,および熱容量(HC)の温度依存性はT_c=15.3Kでバルクタイプ-II型超伝導が現れることを示している。磁気抵抗測定は温度ゼロでB_C2~10.6Tの上部臨界磁場およびζ~55Åのコヒーレンス長を示唆している。中性子回折はMn₅Si₃型構造の格子間2bサイトに炭素原子が配置されていると分析している。T_C以下の熱容量データはBCS理論でよく説明できる。T_Cでのジャンプの大きさは磁化率測定で観察された超伝導の体積率とよく一致している。熱容量データからはデバイ温度とSommerfeldの定数がそれぞれ343Kおよび34MJ/モルK²であると抽出された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ニオブ化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  電気抵抗率 ,  *磁化率 ,  熱容量 ,  温度依存性 ,  *磁気抵抗 ,  *第二種超伝導体 ,  格子間原子 ,  中性子回折 ,  金属間化合物 ,  炭素 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 交流磁化率

分類 (3件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  熱物性一般  (BL05010C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 格子 ,  ドーピング ,  誘起 ,  超伝導