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J-GLOBAL ID：201202211699553997   整理番号：11A1979476

FTO/ガラス基質とその強誘電体と誘電性のBiFeO3フィルムの製品に関する研究

Research on the Preparation of BiFeO3 Films on FTO/glass Substrate and Its Ferroelectric and Dielectric Properties

著者 (2件)： Wang Guoqiang (Dep. of Physics and Electronic Engineering, Yunyang Teachers’ Coll., Danjiangkou) ,  Liu Hongri (School of Physics and Electronic Sci., Hubei Normal Univ., Huangshi)
資料名： Wuhan Ligong Daxue Xuebao  (Wuhan Ligong Daxue Xuebao)
巻： 32  号： 24  ページ： 6-9,47  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0729A  ISSN： 1671-4431  CODEN： WLDXAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： BiFeO3フィルムは,ゾル-ゲル法によって600°C~500°Cにおいて焼き戻すF添加SnO2/ガラス基質に関して沈積した。X線回折パターンは,フィルムが汚い局面なしで十分に結晶化することを示した。交差のセクションスキャン結果は,フィルムの厚さがおよそ600nmであることを示した。59.94μC/cm2の最大残留分極による良い飽和した強誘電体ヒステリシスループは,500°CにおいてアニールするBiFeO3フィルムにおいて認めた。フィルムの強誘電性ヒステリシスループが550°Cと600°Cにおいてアニール化する間,それらの大きい漏れ誘導のために不飽和であった。より高い温度においてアニールするフィルムは,より大きい誘電率と誘電損失を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 酸化スズ ,  ガラス ,  *強誘電体 ,  *誘電性 ,  強誘電性 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  焼なまし ,  ゾル-ゲル法
準シソーラス用語： FTO ,  アニール

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： FTO ,  ガラス ,  基質 ,  強誘電体 ,  誘電性 ,  BiFeO3 ,  フィルム ,  研究