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J-GLOBAL ID：201202211700991162   整理番号：12A0722494

(10-10)及び(30-31)InGaN/GaNヘテロエピタクシーにおけるミスフィット転位形成が起こる応力緩和と臨界厚

Stress relaxation and critical thickness for misfit dislocation formation in (1010) and (3031) InGaN/GaN heteroepitaxy

著者 (7件)： SHAN HSU Po (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  HARDY Matthew T. (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  YOUNG Erin C. (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  ROMANOV Alexey E. (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SPECK James S. (Materials Dep. and Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 17  ページ： 171917-171917-4  発行年： 2012年04月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陰極線ルミネセンスイメージングを用いて,非極性(10-10)及び半極性(303-31)基板上に成長させたIn_0.09Ga_0.91N/GaNヘテロ構造において底面(BP),あるいは非底面(NBP)滑りによるミスフィット転位(MD)形成が起こる塑性緩和の発生と臨界厚を調べた。両方の方位で成長した層は,傾斜m面上でのプリズマティック滑りの結果として,NBP MDの発生を介して最初の応力緩和することを示した。2つの滑り面(すなわち低面と傾斜m面)上の分解剪断応力を分析して,m面上の分解剪断応力がBP上のものより高くなるクロスオーバーを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *ヘテロエピタクシー ,  半導体薄膜 ,  *不整合転位 ,  MOCVD ,  滑り ,  *応力緩和 ,  臨界剪断応力 ,  膜厚 ,  *陰極線ルミネセンス ,  蛍光測定
準シソーラス用語： 窒化ガリウムインジウム ,  ミスフィット転位 ,  塑性緩和 ,  蛍光イメージング

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  GaN ,  ヘテロエピタクシー ,  ミスフィット転位 ,  応力緩和 ,  臨界 ,  厚