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J-GLOBAL ID：201202211716924708   整理番号：12A1245883

空気にさらされた酸化モリブデン薄膜の仕事関数の回復

Work function recovery of air exposed molybdenum oxide thin films

著者 (4件)： IRFAN Irfan (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Rochester, Rochester, New York 14627, USA) ,  JAMES TURINSKE Alexander (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Wisconsin, Oshkosh, Wisconsin 54901, USA) ,  BAO Zhenan (Dep. of Chemical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  GAO Yongli (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Rochester, Rochester, New York 14627, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 9  ページ： 093305-093305-4  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空アニーリングを用いて空気にさらされた酸化モリブデン薄膜の著しい仕事関数(WF)の回復を報告する。1時間の大気曝露後のMoO_x膜上の酸素が多い吸着物質の薄い層と同様にMoO_xのWFの急激な減少(6.8eVから5.6eVに)を観察した。曝露されたMoO_xのWFが,真空アニーリングにおいて温度を高くすると徐々に回復し始め,WF回復の飽和が450°CでWF~6.4eVにおいて観察された。さらにアニールされたMoO_xと銅フタロシアニン(CuPc)間の界面形成を研究した。CuPcの最高占有分子軌道(HOMO)準位はほとんどフェルミ準位にピン止めされ,真空アニールMoO_x膜を用いての効率的な正孔注入の可能性が示唆された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化モリブデン ,  *仕事関数 ,  *熱処理 ,  温度依存性 ,  界面 ,  Fermi準位 ,  *正孔 ,  *キャリア注入 ,  銅錯体 ,  大環状化合物
準シソーラス用語： *真空アニーリング

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

物質索引 (1件)： 銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化モリブデン ,  薄膜 ,  仕事関数 ,  回復