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J-GLOBAL ID:201202211724702684   整理番号:12A1212796

非磁性スピン電界効果トランジスタ

Nonmagnetic spin-field-effect transistor
著者 (3件):
資料名:
巻: 101  号:ページ: 082407-082407-5  発行年: 2012年08月20日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,Datta-Dasスピン電界効果トランジスタで必要な強磁性接触の代わりに,スピン-軌道結合と正常電気接触とを用いた半導体量子細線に基づいた,スピン電界効果トランジスタを提示した。電子のスピンは,完全に分極できて,スピン-軌道結合を用いた軌道波動関数の操作と検出とによって検出できた。中央のスピン-軌道結合領域は,異なる強度のRashbaスピン-軌道結合α1およびα2をそれぞれ有する,2部分からなることを記した。広いエネルギー範囲について,コンダクタンスは,α21の場合にはほぼ1であり,α2=-α1の場合には0であった。この素子は非磁性スピン電界効果トランジスタとして作動し,スピントロニクスでの重要な応用を有することを指摘した。(翻訳著者抄録)
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トランジスタ 
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