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J-GLOBAL ID:201202211839893220   整理番号:12A0215555

1Wの出力パワーで線幅が<100kHzの波長2.05μmの半導体ディスクレーザ

Semiconductor disk laser at 2.05 μm wavelength with <100 kHz linewidth at 1 W output power
著者 (6件):
資料名:
巻: 100  号:ページ: 031109  発行年: 2012年01月16日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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出力パワー960mW(1100mW),サイドモード抑圧比が30dB(20dB)よりも良い,2.05μmを出射する光ポンプ型単一モードGaSb系半導体ディスクレーザ(SDL)について報告する。出力パワー960mWで測定した線幅は60kHz(サンプリング時間:100μs)であった。これ迄の報告に比べた出力パワーのこの改善は,空洞モードとポンプスポットの間の空間的重なりに細心の注意を払ってSDL空洞を慎重に設計して達成したものである。この種類のSDLはリモートセンシングや自由空間光通信に特に魅力的である。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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