文献

J-GLOBAL ID：201202212002481841   整理番号：12A0804680

マスク描画時間の短縮-どの方策が最善か

Reducing mask write-time-which strategy is best?

著者 (2件)： SCHULZE Steffen (Mentor Graphics, OR) ,  LIN Tim (Mentor Graphics, OR)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 55  号： 4  ページ： 25-28  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 波長193nmのリソグラフィーを継続使用するに際しての最先端ノード設計の課題は,マスク描画時間の増大である。ショット総数の低減による描画時間制御のため,多くの手法が開発されている。この記事では,これまでに開発された以下のいくつかの手法について,各々の利点とコストの比較を行った。フラクチャ最適化,プリフラクチャ・ジョグアライメント,Lショット,多解像度描画,最適化ベースフラクチャ,最適OPCアウトプット。その結果,コストを最小化しつつ最大の描画時間短縮を得るには,最適化OPCアウトプットの手法が最有力であった。

シソーラス用語： *フォトマスク ,  レーザリソグラフィー ,  補正 ,  加工時間 ,  時間制御 ,  自動設計 ,  比較 ,  パターン転写
準シソーラス用語： レーザ描画 ,  光近接効果補正

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： マスク ,  描画時間 ,  方策