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J-GLOBAL ID：201202212030791449   整理番号：12A0834150

Cu基板上でのPbを含まないリフロソルダリングに関する臨界酸化膜厚

The critical oxide thickness for Pb-free reflow soldering on Cu substrate

著者 (5件)： CHUNG C. Key (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., No. 1, Sec. 4, Roosevelt Road, Taipei, 10617, Taiwan) ,  CHUNG C. Key (Assembly Test Global Materials, Intel Microelectronics Asia Ltd, B1, No. 205, Tun-Hwa North Road, 10595 Taipei, Taiwan) ,  CHEN Y.j. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., No. 1, Sec. 4, Roosevelt Road, Taipei, 10617, Taiwan) ,  LI C.c. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., No. 1, Sec. 4, Roosevelt Road, Taipei, 10617, Taiwan) ,  KAO C.r. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ., No. 1, Sec. 4, Roosevelt Road, Taipei, 10617, Taiwan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 16  ページ： 5346-5352  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リフロソルダリングにおいて,酸化は望ましくない効果である。酸化層が臨界厚以上に成長すると,はんだ濡れ不良が起こる。はんだ付けにおける酸化膜の臨界厚を決定することは,ナノスケールの酸化層厚と不規則なトポグラフィック表面の故に難題である。本稿では,飛行時間二次イオン質量分析法,走査電子顕微鏡法,エネルギー分散X線分光分析法および透過型電子顕微鏡法によって,銅の臨界酸化膜厚を評価した。銅の基板を有機系はんだ付け保護(OSP)層で被膜し,85%の相対湿度下において,150°Cで様々な時間の間乾燥させた。酸化膜の厚さが18±5nmになった時に,はんだ濡れ不良現象が始まった。酸化層がこの臨界厚を越えると,はんだ濡れ不良接合の割合が指数関数的に増加することが分かった。また,酸化膜厚の成長は放物線速度則に従うことが分かった。酸化の速度定数は0.6×10^-15cm²分^-1であった。酸化はOSPと酸化層を通過する銅と酸素原子の相互拡散に起因することが分かった。本稿ではこの酸化機構を示し,論じた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *リフロソルダリング ,  基板 ,  *銅 ,  濡れ ,  酸化 ,  *酸化膜 ,  *膜厚 ,  反応速度定数 ,  二次イオン質量分析 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  超薄膜 ,  相互拡散
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  飛行時間二次イオン質量分析 ,  表面酸化 ,  臨界厚さ

分類 (2件)： 接続部品  (NA05050Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  Pb ,  リフロソルダリング ,  臨界 ,  酸化 ,  膜厚