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J-GLOBAL ID:201202212061807882   整理番号:12A0268030

ZnSナノワイヤアレイのエピタキシー成長とその紫外線検知への応用

The epitaxial growth of ZnS nanowire arrays and their applications in UV-light detection
著者 (4件):
資料名:
巻: 22  号:ページ: 1199-1205  発行年: 2012年01月21日 
JST資料番号: W0204A  ISSN: 0959-9428  CODEN: JMACEP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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半導体硫化亜鉛の光検出材を合成した。GaO薄膜ができたGaAsB結晶上にジエチル化合物のMOCVDで垂直整列ZnSナノワイヤアレイをエピタキシー成長させた。Gaが触媒とドーパントになり,効率が高い。ワイヤの密度は調整可能で,直径は少し可能である。このナノワイヤをシリカ層を持つSi基板に移してPMMAに包埋し,Cr/Au電極の電子ビーム蒸着により光検出器とした。単一ナノワイヤ検出器と同様に紫外線に感じ,可視光に応答しないが,アレイ素子の方が光電流が安定し,ざっと5ケタ高い。アレイ素子はまた応答が速く,繰り返し性がよいので,可視光不感紫外線検知器によい。
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分類 (3件):
分類
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塩  ,  光伝導,光起電力  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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