AHSAN Nazmul について
Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, JPN について
MIYASHITA Naoya について
Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, JPN について
MONIRUL ISLAM Muhammad について
Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, JPN について
MAN YU Kin について
Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720, USA について
WALUKIEWICZ Wladek について
Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720, USA について
OKADA Yoshitaka について
Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, JPN について
Applied Physics Letters について
バンド構造 について
太陽電池 について
多光子励起 について
ヒ化ガリウムアルミニウム について
P型半導体 について
N型半導体 について
化合物半導体 について
エミッタ【半導体】 について
ドーピング について
ポテンシャル障壁 について
被覆層 について
電流電圧特性 について
変調分光法 について
反射スペクトル について
二光子励起 について
障壁層 について
太陽電池 について
中間バンド太陽電池 について
二光子励起 について