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J-GLOBAL ID：201202212290194860   整理番号：12A0216800

Pr0.5Ca0.5MnO3/Siヘテロ接合の輸送および整流特性

Transport and rectification properties of Pr0.5 Ca0.5 MnO3/Si heterojunction

著者 (4件)： Wan Jiyu (Dep. of Applied Physics, Northwestern Polytechnical Univ., Xi’an) ,  Jin Kexin (Dep. of Applied Physics, Northwestern Polytechnical Univ., Xi’an) ,  Tan Xingyi (Dep. of Applied Physics, Northwestern Polytechnical Univ., Xi’an) ,  Chen Changle (Dep. of Applied Physics, Northwestern Polytechnical Univ., Xi’an)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 59  号： 11  ページ： 8137-8141  発行年： 2010年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Pr0.5Ca0.5MnO3(PCMO)をソリッドステート反応技術によって調製して,PCMOの薄型フィルムをパルスレーザー蒸着方法によってn型シリコン基板上に蒸着した。実験結果は,このフィルムの輸送特性が80~300Kの温度範囲で多様な範囲ホッピングモデルと一致するかもしれないが,しかしそれは一次元から二次元まで変化して,次に,温度上昇とともに三次元に変化することを示した。それは輸送特性に及ぼす軌道次元の影響のものと考えられるかもしれなかった。このPCMO/Siヘテロ接合は磁場の下で良い整流特性を所有して,正電圧で,このヘテロ接合は正から負への著しい遷移を有するためのその磁気抵抗を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *レーザ蒸着 ,  ウエハ【IC】 ,  ホッピング伝導 ,  特性 ,  磁気抵抗 ,  昇温 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  ホッピング ,  輸送特性 ,  温度上昇 ,  温度範囲

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ヘテロ接合 ,  輸送 ,  整流