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J-GLOBAL ID：201202212297721300   整理番号：12A1763705

結晶方位と異方性の古典的分子動力学シミュレーションによるKapitzaコンダクタンスへの影響

Influence of crystallographic orientation and anisotropy on Kapitza conductance via classical molecular dynamics simulations

著者 (6件)： DUDA J. C. (Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, Univ. of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA) ,  KIMMER C. J. (School of Natural Sciences, Indiana Univ. Southeast, New Albany, Indiana 47150, USA) ,  SOFFA W. A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA) ,  ZHOU X. W. (Mechanics of Materials Dep., Sandia National Laboratories, Livermore, California 94550, USA) ,  JONES R. E. (Mechanics of Materials Dep., Sandia National Laboratories, Livermore, California 94550, USA) ,  HOPKINS P. E. (Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, Univ. of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 9  ページ： 093515-093515-8  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶方位と異方性の古典的分子動力学シミュレーションによるLennard-Jones固体間の界面での局所フォノン状態密度,フォノン透過率そしてKapitzaコンダクタンスへの影響を調べた。先の研究との一致で,二つの面心立方材料間の界面ではKapitzaコンダクタンスは結晶方位に無関係である事が判った。他方,面心立方材料と正方晶材料間の界面では,Kapitzaコンダクタンスは正方晶材料の相対的結晶方位に強く依存しているが,この依存性は立方晶と正方晶材料の振動スペクトルのオーバーラップを受けやすい。更に,立方晶材料の音響フォノンと正方晶材料の光学フォノン間の相互作用により,構成材料の値と比較したときより大きい”熱異方性”を示す界面に導きやすい事を示した。最後に,界面を構成している二つの材料のDebye温度間の相対的整合ないしは不整合は,これらの材料が異なった結晶構造を持つ時,界面熱輸送効率の正確なゲージに役立たない事は注目すべきである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Kapitza抵抗 ,  *状態密度 ,  *フォノン ,  計算機シミュレーション ,  *分子動力学 ,  界面 ,  *結晶方位 ,  異方性 ,  Lennard-Jonesポテンシャル ,  結晶構造 ,  正方晶系 ,  立方晶系 ,  音響モード ,  光学モード ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： *フォノン状態密度 ,  音響フォノン ,  *界面フォノン ,  光学フォノン ,  *分子動力学シミュレーション ,  面心立方構造

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶方位 ,  異方性 ,  分子動力学シミュレーション ,  コンダクタンス