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J-GLOBAL ID：201202212786623132   整理番号：12A1767968

ニッケルシリサイドナノワイヤ成長の熱力学機構

Thermodynamic mechanism of nickel silicide nanowire growth

著者 (1件)： KIM Joondong (Dep. of Electrical Engineering, Kunsan National Univ., Kunsan 753701, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 23  ページ： 233103-233103-4  発行年： 2012年12月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニッケルシリサイド(NiSi)ナノワイヤ(NW)の特異な成長機構を熱力学的に調べた。先ず,NiとSiとの反応によって,蒸着条件に応じたNiSi相が決まる。長く,高密度のNiSi NWが得られる最適成長条件を375°Cで見いだした。NiSi NWの成長開始は,核形成に律速されたシリサイド反応が原因となった結晶粒サイズによって決まる。シリサイド層を通って逐次Niが拡散することを示す証拠をNW成長試料で得た。そうでなければ,Niリッチ,あるいはSiリッチな相によって膜型の成長が誘起される。本研究により,NiSi NW成長の特殊な存在が実証された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  *ナノワイヤ ,  核形成 ,  結晶粒径 ,  Gibbs自由エネルギー ,  *結晶成長 ,  真空蒸着 ,  固体内拡散 ,  金属薄膜 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *ニッケルシリサイド

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 成長 ,  熱力学