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J-GLOBAL ID：201202213226753240   整理番号：12A0706132

一軸配向フッ化ビニリデンオリゴマ薄膜の構造および強誘電体評価

Structural and Ferroelectric Characterization of Uniaxially Oriented Vinylidene Fluoride Oligomer Thin Films

著者 (6件)： KURODA Yusuke (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  KOSHIBA Yasuko (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  MISAKI Masahiro (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  HORIE Satoshi (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  ISHIDA Kenji (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  UEDA Yasukiyo (Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 4,Issue 2  ページ： 04DK05.1-04DK05.4  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体フッ化ビニリデン(VDF)オリゴマの一軸配向膜を真空蒸着により,構造テンプレートとして摩擦転写したフッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体;すなわちP(VDF/TrFE)膜上に作製した。Fourier変換赤外分光法および走査型電子顕微鏡測定は,超薄膜P(VDF/TrFE)がエピタキシャル成長により強誘電体形態I結晶層とVDFオリゴマに対する一軸配向を誘発したことを明らかにした。VDFオリゴマ/P(VDF/TrFE)膜は,抗電場および残留分極がそれぞれ150MV/cmおよび77mC/cm²のヒステリシスループを示す;しかしながら構造テンプレートのないVDFオリゴマ膜は強誘電体特性を示さなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  オリゴマ ,  一軸 ,  *分子配向 ,  *強誘電体 ,  型枠 ,  *共重合体 ,  エピタクシー ,  抗電場 ,  残留分極 ,  曲線 ,  真空蒸着 ,  フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体
準シソーラス用語： VDF-TrFE ,  エピタキシャル成長 ,  テンプレート【型板】 ,  ヒステリシスループ ,  強誘電体薄膜 ,  構造テンプレート ,  配向膜 ,  一軸性 ,  一軸配向

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

引用文献 (23件)：

• 1) T. T. Wang, J. M. Herbert, and A. M. Glass: Applications of Ferroelectric Polymers (Chapman and Hall, New York, 1988).
• 2) R. C. G. Naber, C. Tanase, P. W. M. Blom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, and D. M. de Leeuw: Nat. Mater. 4 (2005) 243.
• 3) S. Egusa, Z. Wang, N. Chocat, Z. M. Ruff, A. M. Stolyarov, D. Shemuly, F. Sorin, P. T. Rakich, J. D. Joannopoulos, and Y. Fink: Nat. Mater. 9 (2010) 643.
• 4) Y. Yuan, T. J. Reece, P. Sharma, S. Poddar, S. Ducharme, A. Gruverman, Y. Yang, and J. Huang: Nat. Mater. 10 (2011) 296.
• 5) H. Kawai: Jpn. J. Appl. Phys. 8 (1969) 975.

タイトルに関連する用語 (6件)： 一軸配向 ,  フッ化ビニリデン ,  オリゴマ ,  薄膜 ,  強誘電体 ,  評価