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J-GLOBAL ID：201202213430552555   整理番号：12A1584358

シリコン量子ドット超格子太陽電池の性能に対する量子効果を考慮した数値解析

Numerical Approach to the Performance of Silicon Quantum Dots Superlattice Solar Cells Taking into Account the Quantum Effect

著者 (3件)： KUROKAWA Yasuyoshi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMADA Shigeru (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KONAGAI Makoto (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 10,Issue 2  ページ： 10NE09.1-10NE09.4  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子サイズ効果を考慮して,シリコン量子ドット超格子(Si-QDSL)太陽電池の電気特性は,二次元(2D)デバイスシミュレータを用いて調査された。アモルファス酸炭化ケイ素(a-SiO_xC_y:E_g=2.5eV)マトリックスに埋め込まれたSi-QDSLの平均バンドギャプは,10から3nmまでのSiQDの直径の減少に伴い,量子サイズ効果により1.21から1.75eVまで増加した。Si-QDSL太陽電池のV_ocも,SiQDの直径が3nmまで減少するに伴い増加して1.11Vになったことは,注目すべきことである。この結果は,量子サイズ効果によってV_ocを増強することが可能であるということ,及びSi-QDSLは,全シリコンタンデム太陽電池の有望な材料になるであろうということを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *超格子 ,  ケイ素 ,  *太陽電池 ,  シミュレータ ,  ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  炭化物 ,  量子サイズ効果 ,  数値解析 ,  バンドギャップ ,  電圧
準シソーラス用語： 半導体超格子 ,  シリコン太陽電池 ,  デバイスシミュレータ ,  酸炭化けい素 ,  開放回路電圧 ,  タンデム太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (27件)：

• 1) S. Yamada, Y. Kurokawa, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai: Proc. 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 2010, paper 000766.
• 2) Y. Kurokawa, S. Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai: Jpn. J. Appl. Phys. 46(2007)L833.
• 3) Y. Kurokawa, S. Tomita, S. Miyajima, A. Yamada, and M. Konagai: Proc. 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 2008,p.211.
• 4) I. Perez-Wurfl, X.J. Hao, A. Gentle, D.H. Kim, G. Conibeer, and M.A. Green: Appl. Phys. Lett. 95(2009)153506.
• 5) B.Z. Tian, X.L. Zheng, T.J. Kempa, Y. Fang, N.F. Yu, G.H. Yu, J.L. Huang, and C.M. Lieber: Nature 449(2007)885.

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  量子ドット超格子 ,  太陽電池 ,  量子効果 ,  数値解析