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J-GLOBAL ID:201202213436662123   整理番号:12A1405228

薄膜太陽電池中の多相珪素-炭素の前面接触層

Front contact layer of multiphase silicon-carbon in thin film silicon solar cell
著者 (6件):
資料名:
巻: 101  号: 13  ページ: 133910-133910-4  発行年: 2012年09月24日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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量子効率と変換効率を高めるために,薄膜太陽電池の前面接触層として硼素ドープした水素化多相珪素-炭素(「多相珪素-炭素」と呼ぶ)を提案した。多相珪素-炭素は非晶質炭素,非晶質珪素,結晶珪素状クラスタリング相からなる。多相珪素-炭素の高い電気伝導率と低い光吸収率を達成し,既存の硼素ドープ微結晶珪素と比べた。透明導電性酸化物とp層の間にこの層を適用し,非晶質珪素と珪素-ゲルマニウム(a-Si/a-SiGe)二重接合太陽電池は短波長で量子効率を高め,1cm2の面積で変換効率を約0.6%改善した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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太陽電池 

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