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J-GLOBAL ID：201202213524264561   整理番号：12A0651852

GaAs(001)上のエピタキシャルFe-Ga薄膜の磁性と輸送的性質

Magnetism and transport properties of epitaxial Fe-Ga thin films on GaAs(001)

著者 (5件)： ANH TUAN Duong (Dep. of Physics, Univ. of Ulsan, Ulsan 680-749, KOR) ,  DUC DUNG Dang (Dep. of Physics, Univ. of Ulsan, Ulsan 680-749, KOR) ,  THANH SON Vo (Centers for Nanobioenineering and Spintronics, Chungnam National Univ., Daejon 350-746, KOR) ,  SHIN Yooleemi (Dep. of Physics, Univ. of Ulsan, Ulsan 680-749, KOR) ,  CHO Sunglae (Dep. of Physics, Univ. of Ulsan, Ulsan 680-749, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 07C517-07C517-3  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不規則体心立方晶系α-Fe構造(A2)を有するエピタキシャルFe-Ga薄膜について,分子線エピタクシーによりGaAs(001)上に育成した。Ga濃度が10.5から24.3%まで増加すると共に,飽和磁化(M_S)は,1371から1105kA/mまで減少した。格子定数はGa含有量の増加と共に増加したが,これは,Gaの原子半径がFeのそれより大きいためであった。Ga含有量の増加にともなってキャリヤ密度は増加し,その結果,抵抗率は減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 強磁性体 ,  *鉄合金 ,  *ガリウム含有合金 ,  MBE成長 ,  結晶成長 ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  *層 ,  磁性薄膜 ,  結晶構造 ,  不規則合金 ,  結晶格子 ,  立方晶系 ,  ガリウム ,  濃度 ,  依存性 ,  磁化 ,  曲線 ,  飽和磁化 ,  格子定数 ,  原子半径 ,  キャリア密度 ,  電気抵抗率 ,  温度 ,  Hall効果 ,  電子プローブX線分析 ,  RHEED ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  磁力計
準シソーラス用語： VSM【磁力計】 ,  ヒステリシスループ ,  *金属エピタキシャル層 ,  *磁性エピタキシャル層 ,  体心立方格子

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  磁性 ,  輸送 ,  性質