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J-GLOBAL ID：201202213578934406   整理番号：12A0812534

高分解能スピン/角度分解光電子分光法によるBi(111)面の固有Rashba型スピン分裂バンド観察

Observation of Peculiar Rashba-Type Spin-Split Band on Bi(111) Surface by High-Resolution Spin- and Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy

著者 (9件)： MIYAHARA Hirokazu (Graduate School of Sci., Hiroshima Univ., JPN) ,  MAEGAWA Takamasa (Graduate School of Sci., Hiroshima Univ., JPN) ,  KURODA Kenta (Graduate School of Sci., Hiroshima Univ., JPN) ,  KIMURA Akio (Graduate School of Sci., Hiroshima Univ., JPN) ,  MIYAMOTO Koji (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima Univ., JPN) ,  NAMATAME Hirofumi (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima Univ., JPN) ,  TANIGUCHI Masaki (Graduate School of Sci., Hiroshima Univ., JPN) ,  TANIGUCHI Masaki (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima Univ., JPN) ,  OKUDA Taichi (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima Univ., JPN)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 10  ページ： 153-156 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能スピン分解光電子分光法を利用し,Si(111)面へ合成したBi(111)膜のスピン分極状態を調べた。スピン配向が面内と電子モーメントの接線方向に固定されたRashba型スピン分裂理想的二次元電子ガスと対照的に,顕著な面外スピン分極が正孔ポケットを生成する表面状態で認められた。面外スピン分極は,Γ-M線の面から反対称性で,線において消滅し,面外スピン分極がBi結晶の三回対称から生じることを示唆した。面外スピン成分の強度はBi膜合成条件に依存し最近のX線回折結果と一致し,Si(111)面で成長させたBi(111)膜上で相互に180°回転する二重領域の存在を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *効果 ,  *光電子分光法 ,  *スペクトル線分裂 ,  スピン分極 ,  *結晶面 ,  *ケイ素 ,  *ビスマス ,  *薄膜 ,  スピン整列 ,  変位 ,  正孔 ,  反対称性 ,  高分解能分光法
準シソーラス用語： *Rashba効果 ,  *スピン分解光電子分光法 ,  *スピン分裂 ,  スピン配向 ,  面内変位 ,  高分解能スペクトロスコピー

分類 (3件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  光電子放出  (BM09030D) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高分解能 ,  スピン ,  角度分解光電子分光法 ,  Bi ,  固有 ,  スピン分裂 ,  バンド ,  観察