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J-GLOBAL ID:201202213678041611   整理番号:12A0911630

NbをドープしたTiO2,SnO2及びZrO2の陽電子消滅寿命研究

Positron Annihilation Lifetime Studies of Nb-Doped TiO2, SnO2, and ZrO2
著者 (6件):
資料名:
巻: 95  号:ページ: 1727-1731  発行年: 2012年05月 
JST資料番号: C0253A  ISSN: 0002-7820  CODEN: JACTAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Nb又はTbをドープしたTiO2,SnO2及びZrO2を大気中,Ar中1400°Cで焼成し,X線回折,SEM,XANESで特性評価し,陽電子消滅寿命分光(PALS)を調べた。NbドープしたTiO2のPALS寿命は0.157~0.241nsで,大気中,Ar中いずれでもNdドープにより増加し,Ti空孔生成による電荷補償を示した。PALS結果はXANES測定共一致した。Taドープした場合のPALS寿命も0.227nsで,5価のTaとNbによるバンド構造への影響は同様であることを示した。
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分類 (2件):
分類
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陽電子消滅  ,  セラミック・陶磁器の製造 

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