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J-GLOBAL ID：201202213723272875   整理番号：12A1743731

軸外RFスパッタで成長させたSrRu_1-xO₃/SrTiO₃原子平板層における歪緩和

Strain Relaxation in Atomic Flat SrRu_1-xO₃/SrTiO₃ Layers Grown by Off-Axis RF-Sputtering

著者 (4件)： BOHRA Murtaza (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  YEH H. J. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  WU C. P. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHOU Hsiung (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 48  号： 11  ページ： 4566-4569  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪緩和SrRu_1-xO₃原子平板層を,標準的な軸外RFスパッタにより,SrTiO₃基板上にバッファ層なしで作製し,結晶構造と磁気異方性について調べた。RFパワーを大きくすると,単位格子体積の拡張に比例してRu空孔が集中する。そして,大きなRu空孔により生じたナノ結晶欠陥と薄膜-基板界面に存在するアモルファス層により,強力な境界面歪みは緩和される。この構造的な欠陥と大きな単位格子膨張により,T_Cは110~137Kと,バルクの値の161Kより低くなる。強力な[001]方向一軸異方性を示すのは,格子膨張に対して優位な固有のバルクSrRuO₃の異方性が,立方異方性の起源になっていることを示している。

シソーラス用語： 原子構造 ,  磁気異方性 ,  空格子点 ,  ルテニウム ,  酸化ルテニウム ,  酸化チタン ,  ストロンチウム化合物 ,  RFスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  緩和現象 ,  結晶構造 ,  *磁性薄膜
準シソーラス用語： 原子平板構造 ,  空孔【点欠陥】 ,  歪緩和

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： RFスパッタ ,  成長 ,  原子 ,  平板 ,  歪緩和