ITO/酸化物(n型MoO<sub>3</sub>又はp型NiO)界面におけるバンド整列のXPS研究

BERNEDE J. C.; HOUARI S.; NGUYEN D.; JOUAN P. Y.; KHELIL A.; MOKRANI A.; CATTIN L.; PREDEEP P.

文献

J-GLOBAL ID：201202213728646935 整理番号：12A1191020

ITO/酸化物(n型MoO₃又はp型NiO)界面におけるバンド整列のXPS研究

XPS study of the band alignment at ITO/oxide (n-type MoO₃ or p-type NiO) interface

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 209 号： 7 ページ： 1291-1297 発行年： 2012年07月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

有機光電池作製と同じ実験条件下で作製したITO/酸化物(n型MoO₃又はp型NiO)のバンド整列を調べた。MoO₃(NiO)上部層の厚みは3nmであった。ITO/MoO₃界面におけるバンド不連続性は,ΔE_v=0.50eV,ΔE_c=0.90eV,ITO/NiO界面ではΔE_v=-2.10eV,ΔE_c=-1.90eVであった。Kelvinプローブで測定した仕事関数は両構造の仕事関数がほぼ同じで,ITO単独の場合の仕事関数よりも有意に高かった。

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表面の電子構造

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ITO/酸化物(n型MoO3又はp型NiO)界面におけるバンド整列のXPS研究

ITO/酸化物(n型MoO₃又はp型NiO)界面におけるバンド整列のXPS研究