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J-GLOBAL ID：201202213734019969   整理番号：12A0098136

シリコン基板上のテンプレートベースNiナノロッド合成

Template-based synthesis of Ni nanorods on silicon substrate

著者 (7件)： JIN Xiaoyun (School of Chemical Engineering, Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  HU Yan (School of Chemical Engineering, Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  WANG Yao (School of Chemical Engineering, Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  SHEN Ruiqi (School of Chemical Engineering, Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  YE Yinghua (School of Chemical Engineering, Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  WU Lizhi (School of Chemical Engineering, Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN) ,  WANG Shouxu (School of Chemical Engineering, Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 7  ページ： 2977-2981  発行年： 2012年01月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チタンを予め被覆したシリコン(Si)基板上にポーラスアルミナ膜(PAM)を使用して自立ニッケル(Ni)ナノロッドをパルス電着により作製することができた。初めにSi基板をスパッタリングによりTi(約200nm)及びAl(約600nm)層を連続被覆した。PAM/Ti/Si構造を0.3Mのシュウ酸中で40Vの一定電圧下での二段階陽極処理により作製し,それを使用してNiナノロッドをパルス電着により成長させた。最後にNiナノロッド上にAl層を堆積した。Si上のPAMの細孔拡幅時間と細孔径の関係を調べた。電界放出形走査電子顕微鏡(FESEM)を使用してPAM,Niナノロッド及びAl/Niヘテロ構造のモルフォロジーを観察した。透過電子顕微鏡(TEM)及びX線回折(XRD)によりそれぞれNiナノロッドのモルフォロジー及び構造特性を調べた。また,エネルギー分散X線分光(EDS)により試料の組成を評価した。PAMの細孔径及び細孔長はそれぞれ54.2±12.2nm及び800nmであった。Niナノロッドは基板に垂直に立っており,その径及び長さはPAMとほぼ同じであった。Niナノロッドは面心立方結晶構造のXRDパターンを示した。Al層を堆積したNiナノロッドはシリコン系MEMS互換デバイスにおける熱源あるいはエネルギー材料への応用が期待される。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *多孔質体 ,  *アルミナ ,  陽極酸化処理 ,  鋳型効果 ,  *ナノロッド ,  *ニッケル ,  *電着 ,  細孔径分布 ,  X線回折 ,  モルフォロジー ,  FCC金属 ,  MEMS
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *パルス電着

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン基板 ,  テンプレート ,  Ni ,  ナノロッド