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J-GLOBAL ID：201202213837526559   整理番号：12A0655721

金属酸化物RRAMのスイッチングパラメータ変動について-第二部:モデルの実証と素子設計戦略

On the Switching Parameter Variation of Metal Oxide RRAM-Part II: Model Corroboration and Device Design Strategy

著者 (3件)： YU Shimeng (Stanford Univ., CA, USA) ,  GUAN Ximeng (Stanford Univ., CA, USA) ,  WONG H.-S. Philip (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 4  ページ： 1183-1188  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_xメモリを試作し,第一部で提案したモデルを用いて行った金属酸化物抵抗RAM(RRAM)のDCスイープとパルス過渡特性のシミュレーション結果を実証した。テールビット問題の起源の検討と,書込み-検証法や二層酸化膜素子構造のような問題解決法の提案に焦点を当てながら,直流電流電圧スイッチング特性,パルス過渡スイッチング波形,マルチレベル抵抗分布などを測定した。本研究は,スイッチングパラメータ変動の物理源に関する新しい理解を与えた。

シソーラス用語： MIM構造 ,  *RAM【メモリ】 ,  *スイッチング ,  実証実験 ,  電気特性 ,  過渡応答 ,  酸化物
準シソーラス用語： *RRAM ,  パラメータ変動 ,  モデル実証 ,  金属電極 ,  設計法 ,  素子設計

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 金属酸化物 ,  RRAM ,  スイッチング ,  パラメータ変動 ,  モデル ,  実証 ,  素子設計 ,  戦略