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J-GLOBAL ID：201202213883757689   整理番号：12A0224367

多重ゲートMOSFETモデリングに対する等価厚みと容量のコンセプト一般化

Generalization of the Concept of Equivalent Thickness and Capacitance to Multigate MOSFETs Modeling

著者 (7件)： CHEVILLON Nicolas (Univ. Strasbourg, Illkirch, FRA) ,  SALLESE Jean-Michel (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  LALLEMENT Christophe (Univ. Strasbourg, Illkirch, FRA) ,  PREGALDINY Fabien (Univ. Strasbourg, Illkirch, FRA) ,  MADEC Morgan (Univ. Strasbourg, Illkirch, FRA) ,  SEDLMEIR Josef (Intel Mobile Communications GmbH, Neubiberg, DEU) ,  AGHASSI Jasmin (Intel Mobile Communications GmbH, Neubiberg, DEU)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 1  ページ： 60-71  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非物理的パラメータを導入しないで,任意形状の低ドープ非平面多重ゲートMOSFETをモデル化するために,等価容量の表示法を導入し,いわゆる等価厚みのコンセプトを一般化することを提案する。多重ゲート形状寸法を対称二重ゲート(DG)MOSFETトポロジイに連結編集するこの定義を,4重ゲート,3重ゲート(TG),三角ゲート,全方向円筒ゲート,そして,DGフィン電界効果トランジスタ(FinFET)の3D数値シミュレーションと比較して証明した。このモデリングアプローチに基づくと,どの多重ゲートアーキテクチャもプレーナDG MOSFETで開発された基本関係を,解析を簡単化するための電気量の正規化を含めて,受けついでいる。さらに,このモデルは,一定移動度を仮定すると,パラメータを付加することなしに,275から425KまでのFinFETの電気特性を予測できる。最後に,TG MOSFETの電気測定を予想することができ,この一般化モデルを任意の多重ゲートMOSFET形状の設計指向コンパクトモデルの興味深い候補とすることができる。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *モデリング ,  ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  移動度 ,  チャネル
準シソーラス用語： マルチゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多重ゲート ,  MOSFET ,  モデリング ,  等価 ,  厚み ,  コンセプト ,  一般化