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J-GLOBAL ID:201202213913914180   整理番号:12A1564428

電子スピン共鳴法による擬一次元金属錯体および導電性高分子における素励起の研究

著者 (1件):
資料名:
号: 18  ページ: 19-25  発行年: 2012年03月16日 
JST資料番号: L7828A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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電子の運動が一次元に制限される擬一次元電子系の,ソリトン,ポーラロンなどの素励起に関して,著者らのESRを用いた検討について紹介する。遷移金属(M)とハロゲン原子(X)が交互に配列した一次元骨格をもつハロゲン架橋金属錯体を対象とした,熱励起,光励起により生成したスピンソリトンのESR測定結果について示す。また,導電性高分子であるポリヘキシルチオフェン(P3HT)のFETを対象とし,デバイス動作機構におけるキャリア数の変化をFI-ESRによって測定し,有機FETの動作機構を明確にした結果を示す。今後の展望も論じる。
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分類 (1件):
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有機化合物のEPR 
引用文献 (35件):
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