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J-GLOBAL ID：201202213931325265   整理番号：12A0562936

マグネトロンスパッタリングにより作製したSi_1-xMn_x膜の強磁性と構造に及ぼす熱処理温度効果

Annealing temperature effects on ferromagnetism and structure of Si_1-x Mn _x films prepared by magnetron sputtering

著者 (9件)： LI Tiecheng (Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education and School of Physics and Technol., Wuhan ...) ,  GUO Liping (Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education and School of Physics and Technol., Wuhan ...) ,  LIU Congxiao (Dep. of Physics, Chemistry, and Mathematics, Alabama A&M Univ., 4900 Meridian Street, Normal, AL 35762, USA) ,  PENG Guoliang (Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education and School of Physics and Technol., Wuhan ...) ,  HE Bo (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. & Technol. of China, Hefei 230029, CHN) ,  PAN Zhiyun (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. & Technol. of China, Hefei 230029, CHN) ,  ZHOU Zhongpo (Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education and School of Physics and Technol., Wuhan ...) ,  XU Shuigang (Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education and School of Physics and Technol., Wuhan ...) ,  QUAN Zuci (Key Lab. of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education and School of Physics and Technol., Wuhan ...)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 9  ページ： 1358-1362  発行年： 2012年03月14日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリング法を用いて,Si_1-xMn_x希釈磁性半導体膜を,p-Si(100)単結晶ウエハの上に堆積させた。後の急速熱処理を,温度700,800及び900°Cのアルゴン雰囲気中で約5分間行った。交流磁気勾配磁力計,走査型電子顕微鏡,原子間力顕微鏡,X線回折およびX線吸収端近傍微細構造スペクトルが,堆積直後および熱処理後の膜の磁気特性および構造評価のために,採用された。膜は約2.8μm厚さで,表面のRMS粗さは約5ないし10nmであった。全試料が,室温で強磁性を示し,飽和磁化は700°Cで熱処理した試料で最大値に達した。ケイ化物MnSi_1.7が熱処理した試料では観測された。X線吸収端近傍微細構造スペクトルは,700°Cで熱処理したとき,Mn原子が置換型或いは侵入型サイト占有を,ケイ化物形成のための析出より好むことを示した。観測された強磁性が,700°Cで熱処理した試料に多く見いだされる侵入型若しくは置換型Mn2量体に帰せられると推論された。900°Cで熱処理した試料の弱い強磁性は,Mn₄Si₇化合物の含有量増加と密接に関係した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *マンガン ,  *ドーピング ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  半導体薄膜 ,  磁性半導体 ,  熱処理 ,  *強磁性 ,  RTA【熱処理】 ,  *磁化特性
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  強磁性 ,  熱処理 ,  温度効果