シリコン基板上で成長させた3C-SiCエピ層に関する赤外線反射研究

DONG Lin; SUN Guosheng; SUN Guosheng; ZHENG Liu; LIU Xingfang; ZHANG Feng; YAN Guoguo; ZHAO Wanshun; WANG Lei; LI Xiguang; WANG Zhanguo

文献

J-GLOBAL ID：201202213948866634 整理番号：12A1098967

シリコン基板上で成長させた3C-SiCエピ層に関する赤外線反射研究

Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A1098967&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A1098967&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0092B") }}

著者 (11件)： , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 45 号： 24 ページ： 245102,1-7 発行年： 2012年06月20日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)は,過酷な環境においても機械特性に優れ,化学特性が安定であるといった特性によって,微小電気機械系(MEMS)における有望な半導体とされている。これまでに,化学気相蒸着(CVD)法によってシリコン基板上に蒸着された3C-SiCエピ層が,報告されている。だが,3C-SiC系素子の実現には,結晶品質,表面の平坦さといった3C-SiCヘテロエピタキシャル成長の改善が欠かせない。そして,3C-SiCエピ層の結晶品質の評価において,赤外線分光法が広く使用されている。この方法では,赤外線スペクトルによって,エピ層の厚さ,及び,キャリア濃度を推定する。本稿では,シリコン基板上で成長させた3C-SiCエピ層に関する赤外線反射研究について報告した。まず,水平低圧化学気相蒸着(LPCVD)反応炉において,3C-SiCエピ層をSi(001)基板上で成長させて,得られた試料の赤外線反射スペクトル測定を,フーリエ変換赤外線(FTIR)分光計により実施した。更に,原子間力顕微鏡(AFM)を用いて,表面粗さを分析して,断面積走査型電子顕微鏡(SEM)により,エピ層の厚さを測定した。また,平滑な表面を仮定した理想モデルを用いて,測定データとフィットさせて,エピ層の厚さとキャリア濃度を取得し,スペクトル分布への影響について論じた。更に,界面伝導層,及び,ガウス粗さ界面を有する改良型モデルを構築し,これを理想モデルと比較して,測定スペクトルで見られた異常の一部について考察した。そして,モデルによりフィットさせたデータが,SEMによる観察結果と良好に一致したことから,赤外線反射は,精確な厚さ測定法となることが明らかとされた。本研究,成長プロセスの向上に大きく寄与するものである。

, , , , , , , , , , , , , ,
, , ,

半導体薄膜

, , , , ,

前のページに戻る