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J-GLOBAL ID：201202213987348977   整理番号：12A0223239

銅上でのグラフェンの初期段階成長に関する観察

Observations of Early Stage Graphene Growth on Copper

著者 (4件)： CELEBI K. (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  COLE M.T. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  TEO K.B.K. (AIXTRON Ltd, Cambridge, GBR) ,  PARK H.G. (ETH Zurich, Zurich, CHE)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 15  号： 1  ページ： K1-K4  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自立形が見いだされ興味深い,炭素原子の二次元原子層であるグラフェンの銅上への化学蒸着(CVD)のための可能性がある前駆体として,エチレンの使用に関して検討し,中程度の温度および圧力での初期段階成長の観測について報告した。著者らは銅触媒化CVD単層グラフェンの前駆体としてのエチレンの低温(800°C)での使用について実証した。著者らは時間に対して減少する結晶密度を観測し,初期段階成長の際の可能性ある表面マイグレーションおよびドメインのインターコネクションが示された。著者らはエチレンをベースとする銅上でのCVDに関する有効活性化エネルギーが2.46eVであることを決定し,律速段階にはエチレンの表面脱水素およびグラフェンの格子構築が含まれる可能性を推定した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  初期 ,  炭素 ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  独立性 ,  *銅 ,  前駆体 ,  *アルケン ,  中温 ,  中圧 ,  密度 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  相互接続 ,  活性化エネルギー ,  律速 ,  脱水素 ,  表面反応 ,  格子形成 ,  電子顕微鏡観察 ,  Ramanスペクトル ,  銅触媒
準シソーラス用語： 結晶密度 ,  原子層 ,  初期成長 ,  *単層グラフェン

分類 (4件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  アルケン  (CF03030T)

物質索引 (1件)： エチレン

タイトルに関連する用語 (5件)： 銅 ,  グラフェン ,  初期段階 ,  成長 ,  観察