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J-GLOBAL ID:201202214191830714   整理番号:12A1466682

表面リッチなトポロジカル絶縁体Bi2Se3ナノプレート及びナノリボンの化学アセンブリと電気特性

Chemical assembly and electrical characteristics of surface-rich topological insulator Bi2Se3 nanoplates and nanoribbons
著者 (4件):
資料名:
巻: 101  号: 14  ページ: 143103-143103-3  発行年: 2012年10月01日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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低次元の表面リッチなセレン化ビスマスナノプレート及びナノリボンの低圧化学蒸着法を通した合成を実証した。合成したナノプレートとナノリボンの単結晶格子構造,形態,及び化学組成を分析した。調製したままの試料はすべてn型にドープされていることが分った。これら低次元ナノ構造で非常に大きい表面対体積比が実現したため,これらはトポロジカル絶縁体の性質を研究するのに適したものとなった。ゲートで制御したセレン化ビスマスナノプレート電界効果トランジスタを作製し,基本電気挙動を特性評価した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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その他の無機化合物の薄膜  ,  トランジスタ 

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