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J-GLOBAL ID：201202214234810690   整理番号：12A0338973

環境条件下でフォトリソグラフィーによるC60薄膜トランジスタの直接構造化

Direct structuring of C60 thin film transistors by photo-lithography under ambient conditions

著者 (6件)： KLEEMANN H. (Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  ZAKHIDOV A.a. (Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  ANDERSON M. (Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  MENKE T. (Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  LEO K. (Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU) ,  LUESSEM B. (Inst. fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, DEU)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 13  号： 3  ページ： 506-513  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直接構造化技法は有機半導体材料の将来の低コスト応用,例えば活性マトリックスディスプレイ或は集積回路に対して不可欠な要求である。著者らは環境条件下におけるフォトリソグラフィーリフトオフ過程により小分子有機半導体の直接構造化を示した。この過程の適合性を示すため著者らはトップコンタクト幾何における活性材料としてベンチマーク電子輸送半導体C60を含む有機薄膜トランジスタ(OTFT)を製作した。電子輸送半導体としてのC60は構造化手続きにより起こされた汚染及び劣化に対する良好なインジケータとして仕えた。構造化の影響を明らかにするため,著者らは100μmから下は2.7μmまでの異なったチャネル長に対するOTFT性能を議論した。特に著者らはリソグラフィー処理は接触抵抗の増加を生じることを示した。それとは別に,材料パラメータとしてのC60の移動度は弱くのみ影響され,示された構造化手続きの適合性を強調する。活性マトリックスディスプレイ中の作動トランジスタの将来の集積に対するこの構造化手続きの可能性を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *薄膜トランジスタ ,  *フラーレンC60 ,  構造形成 ,  接触抵抗 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： 有機薄膜トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 環境条件 ,  フォトリソグラフィー ,  C60 ,  薄膜トランジスタ ,  構造化