ハロゲン化二次元ゲルマニウム  量子スピンHall状態であるための候補

MA Yandong; DAI Ying; NIU Chengwang; HUANG Baibiao

文献

J-GLOBAL ID：201202214417629405 整理番号：12A1079625

ハロゲン化二次元ゲルマニウム量子スピンHall状態であるための候補

Halogenated two-dimensional germanium: candidate materials for being of Quantum Spin Hall state

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資料名：
巻： 22 号： 25 ページ： 12587-12591 発行年： 2012年07月07日
JST資料番号： W0204A ISSN： 0959-9428 CODEN： JMACEP 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ハロゲン元素で吸着されたゲルマンの電気特性を理解するため,系統的な第一原理計算を行った。すべての構造は好ましい結合エネルギーを示し,大気条件下でのゲルマンの免疫の増強は高品質のX-ゲルマンの工業化が純粋なゲルマンのそれよりも容易なことを意味する。化学吸着において特に,Cl-ゲルマン,Br-ゲルマン及びI-ゲルマンのDirac様のコーン特性は,交差点シフトがKからΓ点であるにもかかわらず質量ゼロである。Cl-,Br-及びI-ゲルマンのスピン-軌道誘起のバンドギャップは,それぞれ86,237及び162meVであり,純グラフェン(4meV)及びゲルマン(24meV)よりもずっと高い。それ故,Cl-,Br-及びI-ゲルマンにおけるロバストSOC効果の扱いは,スピントロニクス,超低散逸エレエクトロにクス及び量子情報過程に対する新しいデバイスの世代の道を提供し得る。

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塩 , 電子輸送の一般理論 , 絶縁体結晶の電子構造

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ハロゲン化二次元ゲルマニウム 量子スピンHall状態であるための候補

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