文献
J-GLOBAL ID:201202214437536802   整理番号:12A0110700

CuInS2薄膜構造体の合成とキャラクタリゼーション

Synthesis and characterization of CuInS2 thin film structures
著者 (5件):
資料名:
巻: 47  号:ページ: 1669-1676  発行年: 2012年02月 
JST資料番号: B0722A  ISSN: 0022-2461  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
CuInS2は太陽電池用の有望な半導体材料である。ここでは,温和なソルボサーマル合成ルートで,フッ素をドーピングした酸化スズでコーティングしたガラスの上に,いろいろな厚さとモルホロジーで,CuInS2フィルムを製作した。走査電子顕微鏡,透過電子顕微鏡(TEM),および関連した分析方法で,フィルムのミクロ構造を詳細に研究した。また,X線回折とUV/Vis吸収分光学を適用して,更なるキャラクタリゼーションを行った。異なった試薬の化学量論と熱処理で,2種類のフィルムを合成した。厚い方のフィルム(25μm)は,3種類の領域から成っていた。基材の近くに,厚さ600nmの緻密に充填された層が現れ,その上に,厚さ1μmのフレーク状の構造が観察された。この構造の上に小球体が位置し,これは,約3μmのサイズを持ち,多数のフレークで構成されていた。薄い方のフィルムは,厚さ200nmの緻密に充填された層から成り,同様に,個々のフレークの網目構造で作られていた。TEMによれば,両方のフィルムで,フレークは10nmの,細い薄い枝状のロッドに隣接していた。緻密に充填された層のエネルギー分散形X線分析によれば,これらはCuリッチな組成で,それらがp型半導体であると示唆していた。ロッドとフレークは化学量論組成を示していた。適当な電子供与体と組み合わされた時には,薄い方のフィルムは,表面積が大きいために,電子ホール対の離別のための大きな利用可能な面積に基づいた太陽電池のための,有望なモルホロジーを提供する。Copyright 2011 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の薄膜  ,  非金属材料へのセラミック被覆  ,  太陽電池 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る