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J-GLOBAL ID:201202214497831412   整理番号:12A1099977

ZnO上の薄膜シリコン太陽電池のための,非反射微晶質シリコン酸化物p層

Anti-reflective microcrystalline silicon oxide p-layer for thin-film silicon solar cells on ZnO
著者 (6件):
資料名:
巻: 105  ページ: 187-191  発行年: 2012年10月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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アプライド マテリアルズで最近の数年で行ったシリコン薄膜太陽電池の開発の結果として,我々は,ZnO基質上の非晶質/微晶質(a-Si:H/μc-Si:H)直列太陽電池に適用するためのp層に基づく新種の微晶質シリコン酸化物(μc-SiOx:H)について述べる。このp層の屈折率は2-3.5の範囲で調節出来,従って,ZnO(n~2)とシリコン(n~4)の間の屈折率合致層として働く。そのような層を適用することにより,太陽電池の反射は3%に減らすことが出来る。これにより薄膜太陽電池の短絡電流は相当に増える。我々の最近出版した大面積薄膜シリコンモジュールの結果の追跡調査として,我々は,この論文でこの新しいシリコン酸化物p層の物質特性,太陽電池の電気的,光学的特性の最適化,a-Si/μc-Si直列接合セルの光による劣化について詳細に述べる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 
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