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J-GLOBAL ID：201202214569054548   整理番号：12A0593158

局所的動的操作による方向性ナノワイヤ成長

Vectorial nanowire growth by local kinetic manipulation

著者 (8件)： LEE Geunhee (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), San 31, Hyoja-Dong, Nam Gu ...) ,  SUNG WOO Yun (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), San 31, Hyoja-Dong, Nam Gu ...) ,  YANG Jee-eun (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), San 31, Hyoja-Dong, Nam Gu ...) ,  KIM Gil-sung (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), San 31, Hyoja-Dong, Nam Gu ...) ,  LEE Donghun (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), San 31, Hyoja-Dong, Nam Gu ...) ,  KANG Kibum (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), San 31, Hyoja-Dong, Nam Gu ...) ,  KIM Cheol-joo (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH), San 31, Hyoja-Dong, Nam Gu ...) ,  JO Moon-ho (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., 120-749 Korea, Seoul, Seodaemun-Gu, Seonsan-No 262)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 345  号： 1  ページ： 56-60  発行年： 2012年04月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,成長基板上の温度勾配(TG)を制御しながら,蒸気-液体-固体(VLS)メカニズムによって成長させた,大面積で,増強された光吸収特性を有する,方向の制御化と整列化とを有するSiナノワイヤ(SiNW)アレイについて報告する。著者らは,SiNWの成長方向と大きさを同時に定量的に制御可能であること,この制御は局所的に付加されたTGに比例していることを示した。また,著者らは,TGの存在下での輪郭化やパターン化した基板上の方向性の制御された三次元NWの成長の明白な例を示した。整列SiNWアレイは,350-750nmの広範囲な波長に対して,高規則化SiNWシステムの実用的意義を提供する優れた光学的吸収を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  温度勾配 ,  三次元 ,  指向性 ,  VLS成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  可視吸収スペクトル ,  反射スペクトル
準シソーラス用語： シリコンナノワイヤ ,  *ナノワイヤアレイ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 方向性 ,  ナノワイヤ ,  成長