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J-GLOBAL ID：201202214971230417   整理番号：12A1205729

パルスレーザーアブレーション法により生成したSi量子ドットの吸収スペクトルと吸光係数

著者 (4件)： 北迫拓史 (広島大 大学院) ,  西尾一志 (広島大 大学院) ,  齋藤健一 (広島大 大学院) ,  齋藤健一 (広島大 N-BARD)
資料名： ナノ学会大会講演予稿集  (ナノ学会大会)
巻： 10th  ページ： 173  発行年： 2012年06月14日 
JST資料番号： L3641B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *量子ドット ,  吸収係数 ,  *レーザアブレーション ,  *吸収スペクトル ,  動的光散乱 ,  *パルスレーザアブレーション
準シソーラス用語： 吸光係数

分類 (3件)： レーザの応用  (BD04100V) ,  光学スペクトル及び光散乱一般  (BM08050S) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザーアブレーション法 ,  Si ,  量子ドット ,  吸収スペクトル ,  吸光係数